韓國膜厚儀解釋當薄膜厚度和光學常數在測量系統范圍內時，測量系統能又快又輕松的測量。在用來測量薄膜厚度時，有幾種常見的對膜厚儀的誤解。比如：
1.韓國膜厚儀只能測量薄膜厚度，且需要預先知道光學常數(折射率和消光系數)；
2.和橢偏儀相比它的精度較低；
3.只有一到兩個厚度可同時測量。
這些誤解反映了韓國膜厚儀這種技術沒有被充分利用。其使用方法和數據分析有待進一步的深入。
橢偏儀是間接的測量方法，需要建立一個模型，通過調整物理參數(厚度和光學常數)，使得模型與測量得到的反射率曲線達到*擬合度，以此來反推計算薄膜厚度和光學常數。
但是韓國膜厚儀在下列情況下具有明顯的優勢：
1.韓國膜厚儀度要求較高的厚度測量(除很薄的薄膜外)精度<0.01納米；
2.測量較厚的薄膜(>10微米)。精度達到500微米；
3.更高的測量速度<1毫秒；
4.測量表面粗糙度。
這些種技術都可以測量復雜的多層薄膜，計算其厚度和材料的n、k值。
通常人們都使用膜厚儀認為它適合簡單的厚度測量：一至二層薄膜。通常，測量多晶硅和氮化硅是兩個主要應用，導致了橢偏儀和膜厚儀在半導體工業領域里有著廣泛的應用。以傳統的使用方法，顯然不適合這些應用。因此，說明膜厚儀的應用是非常有意義的。事實上如果運用得當，測量它們非常成功。